团聚效应对基于CdSe/ZnS量子点的电致发光二极管性能的影响

• 作者: 张建华 曹进 朱文清 王立 荣佳玲
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 量子点 发光二极管 团聚
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1351-1356
• 页数: 6页
• 分类号: TN383+.1
• 字数: 2732字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20123312.1351

摘要

通过旋涂含有CdSe/ZnS量子点(Quantum dot,QD)的溶液为发光层薄膜,制备了叠层结构的电致发光二极管,利用原子力显微镜研究了QD发光亮度、薄膜形貌与其工艺条件、参数的关系.研究结果表明:随QD厚度的增加,QD纳米粒子薄膜由单层向多层薄膜形成,QD纳米颗粒发生团聚现象,并使器件亮度降低.此外,退火温度对QD薄膜形貌及其发光强度影响很大:当退火温度高于150 ℃时,产生的热量也会造成QD纳米粒子团聚,并导致QLED器件发光性能下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱文清	上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室	91	721	14.0	17.0
2	张建华	上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室	106	709	13.0	21.0
3	曹进	上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室	18	99	7.0	9.0
4	王立	上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室	8	42	3.0	6.0
5	荣佳玲	上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室	1	6	1.0	1.0