单源共蒸法制备CuInS2薄膜及特性分析

• 作者: 李云 李健 谢俊叶
• 来源期刊: 真空
• 学科: 物理学
• 关键词: CuInS2薄膜 单源共蒸发 热处理 特性分析
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 39-43
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 语种: 中文

摘要

将单质Cu、In和S粉末按一定比例均匀混合,单源共蒸发沉积CuInS2薄膜.氮气保护对薄膜进行热处理.研究不同热处理条件对薄膜表面形貌、化学组分及电学特性的影响.XRD分析给出直接沉积的CuInS2薄膜为黄铜矿结构,整体性能较差.经400℃、20 min热处理后,CuInS2薄膜特性得到明显的改善,导电类型呈P型,体内元素化学计量比Cu:In:S=1:0.9:1.5接近标准值,Cu含量略多,电阻率为4.8× 10-2 Ω·cm,薄膜的直接光学带隙1.42 eV,光吸收系数105 cm-1.440℃、10 min热处理的薄膜,晶相结构没变但导电类型转为N型,元素化学计量比Cu:In:S=1:2.3:0.8,In元素过量,电阻率为1.3×10-2 Ω ·cm,光吸收系数104 cm-1,直接光学带隙1.39 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李健	内蒙古大学物理科学与技术学院	36	200	7.0	12.0
5	李云	内蒙古大学物理科学与技术学院	2	4	2.0	2.0
9	谢俊叶	内蒙古自治区高等学校半导体光伏技术重点实验室	1	2	1.0	1.0