湿法表面粗化提高倒装AlGaInP LED外量子效率

• 作者: 白继锋 薄报学 陈凯轩 马祥柱 高欣 黄尊祥
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaInP 选择性腐蚀 湿法腐蚀 表面粗化 外量子效率
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 188-190,193
• 分类号: TN312.8
• 语种: 中文

摘要

介绍了一种利用盐酸、磷酸混合液对不同Al组分（AlxGa1-x）0.5In0.5P的选择性腐蚀特性对倒装AlGaInP红光LED进行表面粗化的方法。通过向粗化层GaInP加入适量的Al,在Al组分为0.4时,利用体积比为1∶10的HCl∶H3PO4可以得到横向尺寸约为60nm,纵向尺寸约为150nm的最有利于出光的类三角圆锥型表面结构。器件测试结果表明,在20mA注入电流下,器件外量子效率比粗化前提高了80%。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高欣	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	38	214	8.0	13.0
2	薄报学	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	44	252	9.0	14.0
3	白继锋	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	1	5	1.0	1.0
4	黄尊祥		1	5	1.0	1.0
5	陈凯轩		1	5	1.0	1.0
6	马祥柱		1	5	1.0	1.0