基于NAND Flash的海量存储器的设计

• 作者: 吴云峰 吴华君 唐斌 孙长胜 舒文丽
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: NAND Flash 海量存储 并行操作 坏块管理 ECC校验
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 电子电路设计分析应用
• 页码范围: 107-110
• 分类号: TN402
• 字数: 2326字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2012.01.025

摘要

针对存储系统中对存储容量和存储带宽的要求不断提高,设计了一款高性能的超大容量数据存储器.该存储器采用NAND Flash作为存储介质,单板载有144片芯片,分为3组,每组48片,降低了单片的存储速度,实现了576 Gbyte的海量存储.设计采用FPGA进行多片NAND Flash芯片并行读写来提高读写带宽,使得大容量高带宽的存储器得以实现.针对NAND Flash存在坏块的缺点,提出了相应的管理方法,保证了数据的可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐斌	电子科技大学光电信息学院	210	2076	24.0	33.0
2	吴云峰	电子科技大学光电信息学院	106	653	13.0	18.0
3	舒文丽	电子科技大学光电信息学院	3	71	3.0	3.0
4	吴华君	电子科技大学光电信息学院	5	39	4.0	5.0
5	孙长胜	电子科技大学光电信息学院	3	90	3.0	3.0