混合环境气体配比对纳米硅晶粒角度分布的影响

• 作者: 丁学成 傅广生 王英龙 翟小林 褚立志 邓泽超
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米硅晶粒 脉冲激光烧蚀 平均尺寸 角度分布
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 页码范围: 670-674
• 分类号: O731
• 字数: 2191字
• 语种: 中文

摘要

为了研究混合环境气体配比对脉冲激光烧蚀制备纳米硅(Si)晶粒角度分布的影响,采用XeCl准分子激光器,烧蚀高阻抗单晶Si靶,改变混合环境气体配比(He/Ar =41、1∶10、1∶1、1∶4、1∶2),在半圆环衬底上成功制备了一系列纳米Si晶薄膜.使用扫描电子显微镜(SEM)图像、X射线衍射谱(XRD)和拉曼光谱(Raman)对其进行表征分析.结果表明,在五种配比下,纳米Si晶粒的平均尺寸均随着偏离羽辉轴向夹角的增大而减小；各个角度处,纳米Si晶粒的平均尺寸均随着混合环境气体平均原子质量的增加而呈现先减小后增大的趋势.从传输动力学角度,对结果进行了定性分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅广生	河北大学物理科学与技术学院	184	817	13.0	17.0
2	邓泽超	河北大学物理科学与技术学院	48	123	6.0	8.0
3	褚立志	河北大学物理科学与技术学院	47	155	7.0	10.0
4	丁学成	河北大学物理科学与技术学院	44	89	5.0	7.0
5	王英龙	河北大学物理科学与技术学院	96	301	9.0	12.0
6	翟小林	河北大学物理科学与技术学院	3	6	1.0	2.0