SiGe工艺中HBT结构ESD保护电路设计

• 作者: 徐向明 李平梁 王邦麟 苏庆 金峰
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 异质结双极型晶体管 锗硅 静电保护 寄生电容 射频
• 年，卷（期）: 2012,（8）
• 所属期刊栏目: 可靠性
• 页码范围: 653-657
• 分类号: TN322.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.08.017

摘要

为有效控制生产成本,减少工艺步骤,提出了在SiGe工艺中,用SiGe异质结双极型晶体管(HBT)代替传统二极管来实现静电放电(ESD)保护的方案.通过设计不同的HBT器件的版图结构,以及采取不同的端口连接方式,对HBT单体结构防护ESD的能力强弱和其寄生电容大小之间的关系进行了比较分析,并从中找出最优化的ESD解决方案.应用于实际电路中的验证结果表明,此方案在ESD防护能力达到人体模型(HBM)2 kV的基础上,I/O(IN/OUT 输入输出)端口的寄生电容值可以做到200 fF以下,且此电容值还可通过HBT串联模式进一步降低.