磁控溅射制备ZnO:Eu薄膜发光性能研究

• 作者: 孙京南 孙文军 支洪武 李娟 李孟洋 赵立萍
• 来源期刊: 真空
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO Eu3+ 光致发光 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 32-34
• 页数: 3页
• 分类号: O482.31|O484.1
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射法在蓝宝石基片上制备ZnO:Eu薄膜,通过X射线衍射仪和荧光分光光度计等测试其晶体结构和发光特性,分析退火对薄膜晶体结构和发光特性的影响.结果表明,ZnO:Eu薄膜为C轴择优生长的多晶薄膜,实现ZnO基质中掺杂Eu3+;退火样品结晶质量较好,有助于ZnO:Eu薄膜中Eu3+的5D0-7F2的能级跃迁发光;高于ZnO带隙的高能激发(间接激发)和Eu3+的7F0-5L6和7F3-5D2能级间的低能共振激发(直接激发)都能观察到Eu3+的5D0-7F2能级跃迁的特征发光(618nm);间接激发时存在ZnO基质与Eu3之间发生能量传递.