6～18GHzGaAsPHEMT5位MMIC数字移相器

• 作者: 徐利 戴永胜 李平 陈少波 陈曦
• 来源期刊: 微波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 微波单片集成电路 数字移相器 砷化镓 赝配高电子迁移率晶体管
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 学术论文与技术报告
• 页码范围: 66-69
• 分类号: TN623
• 字数: 1980字
• 语种: 中文

摘要

采用GaAsPHEMT工艺研制开发了一款6～18GHz五位MMIC数字移相器。通过建立精确的器件模型、选择合理的单位拓扑以及设计优化原理图和版图，并在优化过程中采用性能冗余优化策略，保证了产品各项性能优异和高成品率。测试的电性能典型值表明，在工作频率范围内，11．25°／22．5°移相位的相移误差〈2．5°，45。／90°／180°移相位的相移误差〈5°，相移均方根误差〈4．5°，插入损耗保持在7dB-10．5dB的范围内，32种相移态输入端与输出端的驻波比均小于1．7，最终芯片面积仅为3．555mm×4．055mm×0．1mm，可广泛用于相控阵雷达与电子对抗等系统。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴永胜	南京理工大学电子工程与光电技术学院	57	155	6.0	10.0
2	陈曦	南京理工大学电子工程与光电技术学院	51	317	8.0	17.0
3	李平	南京理工大学电子工程与光电技术学院	4	33	3.0	4.0
4	陈少波	南京理工大学电子工程与光电技术学院	3	19	2.0	3.0
5	徐利	南京理工大学电子工程与光电技术学院	4	30	2.0	4.0