氮气含量对硅基AlN薄膜结构及性能的影响

• 作者: 刘永智 李海翼
• 来源期刊: 物理实验
• 学科: 物理学
• 关键词: AlN薄膜 氮气含量 直流磁控溅射 非晶态 吸收
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 实验与应用
• 页码范围: 10-13
• 分类号: O484.1
• 字数: 2216字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-4642.2012.02.004

摘要

研究了直流磁控溅射法沉积AlN薄膜过程中氮气含量对AlN薄膜结构及性能的影响.实验结果表明:当真空腔的氩气含量较低时,薄膜呈非晶态,在红外波段的傅里叶变换光谱中没有明显的吸收峰,当氮气流量为75％时薄膜中出现明显的六方AlN(100)和A1N(110)衍射峰,在波数为670～700 cm-1处有强烈的吸收峰;增加氮气含量,薄膜又呈现出非晶状态.薄膜的表面粗糙度和颗粒大小都随氮气含量的增加先增大后减小..