高温氩退火对直拉CZ硅单晶中空洞型微缺陷的影响

• 作者: 何自强 冯泉林 刘斌 周旗钢 李宗峰 杜娟
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 直拉硅单晶 大直径 空洞型微缺陷 晶体原生粒子缺陷 高温退火
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 120-123
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2606字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2012.01.021

摘要

研究了高温氩退火对大直径直拉硅单晶中晶体原生粒子缺陷(COP)的消除作用.分别在不同温度和保温时间下进行退火,然后利用表面扫描检测系统SPI测量退火前后硅片表面COP的密度变化,来表征退火对COP的消除作用.研究发现,在1200℃退火2h能够显著降低硅单晶表面区域的COP密度,并且随着退火时间的延长COP的密度降低得越多.然后,把所有的退火硅片抛去不同的厚度,检测COP在厚度上的分布,进而得出退火对COP消除的有效距离为0～10 μm.因此,可以得到高温氩退火只能够消除硅片表面的COP缺陷,而对于硅片内部的这些缺陷影响较小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周旗钢		35	176	8.0	12.0
2	冯泉林		7	14	2.0	3.0
3	何自强		3	7	2.0	2.0
4	李宗峰		3	4	1.0	1.0
5	杜娟		1	2	1.0	1.0
6	刘斌		5	6	2.0	2.0