辐照加固SRAM型FPGA总剂量辐射效应研究

• 作者: 刘士全 季振凯
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: SRAM型FPGA 总剂量效应 辐射效应 退火实验
• 年，卷（期）: 2012,（7）
• 页码范围: 31-33
• 分类号: TN306
• 字数: 1822字
• 语种: 中文

摘要

在航天辐射环境中,电离辐射产生的辐射效应会对电子元器件性能产生影响.文章对自主研发的SRAM型FPGA芯片在60Co-γ源辐照下的总剂量辐射效应进行了研究.实验表明:(1)总剂量累积到一定程度后功耗电流线性增大,但只要功耗电流在极限范围内,FPGA仍能正常工作;(2)SRAM型FPGA在配置过程中需要瞬间大电流,故辐照后不能立即配置;(3)总剂量辐照实验时,功耗电流能直观反映器件随总剂量的变化关系,可作为判断器件失效的一个敏感参数.该研究为FPGA的设计提供了基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘士全		10	27	3.0	4.0
2	季振凯		6	11	2.0	3.0