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摘要:
文章基于阴极半导体电子发射理论和微通道板(MCP)电子倍增基本物理过程,分析阴极背景噪声和信噪比与阴极电压的关系,分析指出:像增强器背景噪声会随着阴极电压的增大而增长;像增强器系统噪声因子随着阴极电压的增大而减小,并趋于饱和.通过实验证明:增大阴极电压的幅度,像增强器背景噪声随之呈指数增长;输出信噪比随之呈单调增长,并趋于饱和.由此得出阴极最佳工作电压在-160V左右.
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文献信息
篇名 光阴极电压对微光像增强器性能影响研究
来源期刊 电子技术 学科 工学
关键词 像增强器 阴极电压 背景噪声 信噪比
年,卷(期) 2012,(1) 所属期刊栏目 电子技术研发
研究方向 页码范围 18-21
页数 分类号 TN144
字数 3046字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-0755.2012.01.006
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 周立 上海交通大学区域光纤通信网与新型光通信系统国家重点实验室 21 65 5.0 6.0
2 李新碗 上海交通大学区域光纤通信网与新型光通信系统国家重点实验室 55 281 8.0 14.0
3 曾昊 上海交通大学区域光纤通信网与新型光通信系统国家重点实验室 2 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
像增强器
阴极电压
背景噪声
信噪比
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子技术
月刊
1000-0755
31-1323/TN
大16开
上海市长宁区泉口路274号
4-141
1963
chi
出版文献量(篇)
5480
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19
总被引数(次)
22245
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