ULSI Cu互连CoSiN扩散阻挡薄膜的研究

• 作者: 张在玉 陈秀华 韩永强
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: CoSiN 磁控溅射 热退火 互连阻挡层 CoSiN/Cu/CoSiN/SiO2/Si
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 材料与结构
• 页码范围: 33-38
• 分类号: TN304.26
• 字数: 3794字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2012.01.006

摘要

CoSiN薄膜可以作为超大规模集成电路Cu布线互连材料使用.利用磁控溅射技术制备了CoSiN/Cu/CoSiN/SiO2/Si薄膜,利用四探针测试仪、薄膜测厚仪、原子力显微镜、X射线光电子能谱仪等来检测多层膜电阻率、薄膜厚度、表面形貌、元素含量及价态等.考察亚45 nm级工艺条件下CoSiN薄膜对Cu的扩散阻挡性能.实验结果表明,在氩气气氛条件下经500℃,30 min热退火处理后多层膜的电阻率和成分没有发生明显变化,CoSiN薄膜能够保持良好的铜扩散阻挡性能；经600℃,30 min热退火处理后,Cu大量出现在表面,CoSiN薄膜对Cu失去扩散阻挡性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈秀华	云南大学物理科学技术学院材料科学与工程系	15	113	5.0	10.0
2	张在玉	云南大学物理科学技术学院材料科学与工程系	1	2	1.0	1.0
3	韩永强	云南大学物理科学技术学院材料科学与工程系	1	2	1.0	1.0