毫米波GaN基HEMT器件材料结构发展的研究

• 作者: 冯志红 张效玮 房玉龙 敦少博 贾科进 赵正平
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 镓氮高电子迁移率晶体管 器件材料结构 短沟道效应 源漏导通电阻 毫米波
• 年，卷（期）: 2012,（8）
• 所属期刊栏目: 半导体材料与设备
• 页码范围: 634-637,641
• 分类号: TN304.23|TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.08.012

摘要

由于GaN材料的高的饱和电子速度和击穿场强,GaN基HEMT已经成为实现毫米波器件的重要选择.回顾了GaN基HEMT器件材料结构的发展历程,就目前GaN基毫米波HEMT器件设计应用存在的短沟道效应和源漏间较大的导通电阻两个主要问题进行了机理分析,并对GaN基HEMT器件的毫米波应用未来发展方向进行了分析.同时从GaN基HEMT器件材料结构设计入手对解决方案进行了探讨性研究.针对面向毫米波应用的GaN基HEMT材料结构,为有效的抑制短沟道效应,可以采用栅凹槽结构加背势垒结构、采用InAlN等新材料,可以有效降低源漏导通电阻.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵正平	河北工业大学信息工程学院	22	61	5.0	5.0
2	贾科进	河北工业大学信息工程学院	24	134	6.0	10.0
3	张效玮	河北工业大学信息工程学院	8	48	5.0	6.0
5	房玉龙		15	24	2.0	3.0
6	冯志红		38	81	5.0	5.0
7	敦少博		10	19	3.0	4.0