热氧化生长的SiO2钝化膜对晶体硅太阳电池性能的影响

• 作者: 冯仕猛 叶发敏 熊胜虎 郭爱娟
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 晶体硅 太阳电池 钝化 干氧氧化 表面复合
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 页码范围: 270-272
• 分类号: TM914.4
• 字数: 1861字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0254-0096.2012.02.017

摘要

使用干氧热氧化的方法在晶体硅太阳电池表面生长SiO2钝化膜.结果表明:在780℃下生长的氧化薄膜钝化效果较好,实验检测少子寿命提高了8.3μs,以此为基础制备的太阳电池转换效率达到17.38％.实验还对氮气气氛下的氧化进行研究,发现当氮气流量为10L/min时,能强化薄膜的钝化效果,少子寿命可提高9.4μs.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	熊胜虎		3	59	2.0	3.0
2	冯仕猛	上海交通大学物理系	39	143	7.0	9.0
3	郭爱娟	上海交通大学物理系	2	14	2.0	2.0
4	叶发敏	上海交通大学物理系	1	3	1.0	1.0