离子辅助沉积法制备SiO2介质薄膜的应力研究

• 作者: 宁永强 张金胜 张金龙
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 离子辅助沉积 SiO2薄膜 应力 退火
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能研究
• 页码范围: 1304-1308
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 3607字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20123312.1304

摘要

在高功率垂直腔面发射激光器制作工艺中,生长出低应力、高质量、高稳定性的SiO2介质层非常关键.我们使用高效率LaB6离子源辅助,在低放电电流条件下,在GaAs衬底上沉积了SiO2,并对退火的应力影响进行了测试.在有离子辅助沉积时,对不同生长速率、不同厚度的应力影响进行了研究,对沉积过程进行了分析.结果表明:离子辅助沉积的SiO2薄膜的应力远小于常规工艺条件下沉积的薄膜的应力,且退火后应力变化小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宁永强	发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	6	180	4.0	6.0
2	张金胜	发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	8	206	6.0	8.0
4	张金龙	发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	3	7	1.0	2.0