封装热效应及粘结层对微芯片应力和应变的影响

• 作者: 苏继龙 连兴峰
• 来源期刊: 机电技术
• 学科: 工学
• 关键词: 芯片 封装效应 应力 微机电系统
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 页码范围: 33-37
• 分类号: TH703.8
• 字数: 2550字
• 语种: 中文

摘要

针对不同的基板和粘结层,运用 COMSOL Multiphysics 软件分析了由封装引起的热失配对 MEMS 芯片的内部应力和应变的影响及其影响规律.分析不同基板对 SiC 芯片的应力和应变的影响,通过有限元计算分析得知,当基板的热膨胀系数跟芯片的热膨胀系数越接近,封装对芯片导致的应力?应变和位移的影响越小.研究表明:粘结层的厚度对 SiC芯片的应力等参数同样存在一定的影响,当粘结层的厚度增加时能够降低 SiC 芯片由封装引起的热应力,同时也会降低SiC 芯片的第一主应变.基板厚度增加会增加 SiC 芯片由封装引起的热应力,温度场由高到低会增加 SiC 芯片由封装引起的热应力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	苏继龙	福建农林大学机电工程学院	42	90	4.0	7.0
2	连兴峰	福建农林大学机电工程学院	4	13	3.0	3.0