PECVD法制备不同衬底微晶硅薄膜的研究

• 作者: 佘星欣 桂全宏
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 微晶硅薄膜 沉积速率 晶化率
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 页码范围: 599-604,610
• 分类号: O484
• 字数: 3630字
• 语种: 中文

摘要

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法分别在玻璃衬底和p型薄膜硅衬底上制备了微晶硅薄膜.使用拉曼谱仪、紫外-可见分光光度计、傅里叶红外光谱仪等对微晶硅薄膜进行检测,重点研究了硅烷浓度、衬底温度对薄膜沉积速率和晶化率的影响.实验结果表明:两种衬底上薄膜的沉积速率均随硅烷浓度的增大、衬底温度的升高而变大.硅烷浓度对两种衬底的薄膜晶化率影响规律相同,即均随其升高而降低；但两种衬底的衬底温度影响规律存在差别:对玻璃衬底而言,温度升高,样品晶化率减小；而p型薄膜硅衬底则在温度升高时,样品晶化率先增大后减小.此外还发现,晶化率与薄膜光学性能及含氧量存在较密切关联.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	桂全宏	深圳市科技专家委员会办公室	1	5	1.0	1.0
2	佘星欣	哈尔滨工业大学深圳研究生院	1	5	1.0	1.0