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A quantum-confinement model for surrounding-gate MOSFETS from subthreshold to strong-inversion regions
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文献信息
| 篇名 | A quantum-confinement model for surrounding-gate MOSFETS from subthreshold to strong-inversion regions | ||
| 来源期刊 | 中国科学 | 学科 | 化学 |
| 关键词 | 量子限制效应 MOSFET 亚阈值区 域模型 反转区 势能分布 量子限制模型 电子密度 | ||
| 年，卷（期） | zgkx_2012,（10） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 2399-2408 | |
| 页数 | 10页 | 分类号 | O621.13 |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
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