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摘要:
在分析传统CMOS宽共模输入级结构基础上,设计了一种新型CMOS电路结构实现超宽共模输入范围(ICMR)的运算放大器.此设计通过提取输入共模电平与参考共模电平比较放大,反馈到输入信号端,使信号在放大前共模电平趋近参考共模电平,可扩大输入共模电平范围,并有利于OP core性能保持稳定.电路采用TSMC 0.13 μm CMOS工艺进行设计,利用Cadence仿真,结果表明:在3.3V电源电压下,输入共模范围为-1.5 V~4.8 V,开环增益为74 dB,单位增益带宽为11.4MHz,相位裕度为74°.
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文献信息
篇名 一种新型超宽共模输入范围放大器设计
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词 运算放大器 超宽共模输入范围 输入级 CMOS工艺
年,卷(期) 2012,(5) 所属期刊栏目 电子电路设计分析及应用
研究方向 页码范围 504-508
页数 分类号 TN433
字数 2875字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2012.05.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张乐 华中科技大学电子科学与技术系 16 78 6.0 8.0
2 余国义 华中科技大学电子科学与技术系 20 135 6.0 10.0
3 钟建福 华中科技大学电子科学与技术系 3 15 3.0 3.0
4 郑梅军 华中科技大学电子科学与技术系 2 10 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
运算放大器
超宽共模输入范围
输入级
CMOS工艺
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
出版文献量(篇)
5460
总下载数(次)
21
总被引数(次)
27643
论文1v1指导