SnO2纳米柱状阵列的微波水热法合成及表征

• 作者: 史伟民 杨伟光 王亚丽
• 来源期刊: 铜业工程
• 关键词: SnO2 微波 水热 光致发光光谱
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 材料制备与加工工程
• 页码范围: 8-10
• 分类号: TN304.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-3842.2012.01.003

摘要

采用微波水热法,在ITO导电基底上合成出了SnO2纳米柱状阵列.经过扫描电子显微镜、X射线衍射表征发现微波水热法合成得到的SnO2纳米柱状阵列,其高度约为400 nm,组成阵列的柱状结构直径约为100nm.通过紫外漫反射光谱测试得出SnO2纳米柱状阵列的禁带宽度为3.25 eV,光致发光光谱显示在390nm、405 nm和425nm处分别存在较强发射峰.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史伟民	上海大学材料科学与工程学院	56	313	10.0	14.0
2	王亚丽	上海大学纳米科学与技术研究中心	8	59	4.0	7.0
3	杨伟光	上海大学材料科学与工程学院	5	4	1.0	2.0