深亚微米CMOS电路多电源全芯片ESD技术研究

• 作者: 于宗光 杨兵 罗静
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: ESD 全芯片ESD 深亚微米 多电源 HBM
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 258-262
• 分类号: TN432
• 字数: 3257字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2012.03.003

摘要

深亚微米CMOS电路具有器件特征尺寸小、复杂度高、面积大、数模混合等特点,电路全芯片ESD设计已经成为设计师面临的一个新的挑战.多电源CMOS电路全芯片ESD技术研究依据工艺、器件、电路三个层次进行,对芯片ESD设计关键点进行详细分析,制定了全芯片ESD设计方案与系统架构,该方案采用SMIC0.35 μm 2P4M Polycide混合信号CMOS工艺流片验证,结果为电路HBM ESD等级达到4500 V,表明该全芯片ESD方案具有良好的ESD防护能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨兵	江南大学物联网学院	23	105	4.0	9.0
3	于宗光	江南大学物联网学院	89	354	9.0	14.0
7	罗静	中国电子科技集团公司第五十八研究所	12	35	3.0	5.0