BST薄膜对GaN衬底的传输特性影响

• 作者: 叶育红 周骏 李辉 沈亚
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 钛酸锶钡 氮化镓 传输特性
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 页码范围: 31-34
• 分类号: TN305
• 字数: 1691字
• 语种: 中文

摘要

钛酸锶钡(BST)薄膜是一种重要的铁电薄膜,应用广泛,是高新技术研究的前沿和热点之一.文章重点讨论了不同结构的BST薄膜对GaN传输线的传输特性影响,分析了不同的BST薄膜材料参数对传输性能的影响.实验证明,未电镀的传输线空洞较多,直流电阻变大,生长了BST薄膜的传输线插损约为0.32dB/mm,不同的薄膜材料参数对传输特性的影响也很明显,随着介电常数、膜厚以及损耗角的增大,传输线有效介电常数变大,特性阻抗减小.为基于磁电效应的GaN功率放大器设计提供了一定的借鉴.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈亚		7	5	2.0	2.0
2	李辉		28	90	6.0	8.0
3	周骏		7	4	1.0	2.0
4	叶育红		2	2	1.0	1.0