SOI-LIGBT器件正偏安全工作区的研究

• 作者: 刘斯扬 钱钦松 霍昌隆
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 正偏安全工作区 热阻 热容 电热耦合
• 年，卷（期）: 2012,（7）
• 所属期刊栏目: 电子·电路
• 页码范围: 106-109,113
• 页数: 5页
• 分类号: TN32
• 字数: 2295字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2012.07.032

摘要

研究了高压SOI—LIGBT器件的单脉冲正偏安全工作区（FBSOA）的绘制方法。首先，分别提取器件的热阻与热容，并借助热阻抗公式计算器件的瞬态热阻抗，进而根据热阻抗与最大允许功率之间的关系，获得直流与脉冲条件下的正偏安全工作区。同时，还对其二次击穿边界与安全工作区的相互关系做了进一步分析，为更加准确地确定高压LIGBT器件的单脉冲安全工作区提供理论指导。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钱钦松	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	14	56	5.0	6.0
2	刘斯扬	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	21	54	4.0	5.0
3	霍昌隆	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	2	3	1.0	1.0