不同原料合成SiC晶须的形貌结构特征和生长机理研究

• 作者: 刘民生 张军战 张颖 蒋明学
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 碳热还原 SiC晶须 形貌结构 生长机理
• 年，卷（期）: 2012,（13）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1782-1785
• 页数: 4页
• 分类号: TB34
• 字数: 1665字
• 语种: 中文

摘要

分别以SiO2微粉和Si3N4为硅源，炭黑为碳源，氧化硼为催化剂，采用碳热还原法在1500℃氩气气氛下合成了SiC晶须。通过透射电镜和扫描电镜对所合成SiC晶须的形貌和晶体结构特征进行了分析。结果表明，采用两种硅源所合成的晶须均为B—SiC单晶，晶须的生长面为（111）面，生长方向为[111]方向。两种硅源所合成的晶须形貌特点存在较大差别，表明其合成SiC晶须的生长机理不同，VLS生长和螺旋位错的延伸生长可以分别用来解释以SiO2微粉为硅源和以Si3N4为硅源合成的晶须在形貌结构特征上的差别。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张颖	西安建筑科技大学材料与矿资学院	71	240	9.0	11.0
2	蒋明学	西安建筑科技大学材料与矿资学院	125	832	15.0	20.0
3	张军战	西安建筑科技大学材料与矿资学院	52	232	9.0	13.0
4	刘民生	西安建筑科技大学材料与矿资学院	20	72	4.0	8.0