二氧化硅的反应离子刻蚀工艺研究

• 作者: 李伟 杨光 苟君 袁凯
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: 反应离子刻蚀 二氧化硅 刻蚀速率 优化工艺
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 1-3,6
• 分类号: TN4
• 字数: 2996字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2012.03.001

摘要

采用CHF3、CF4、CHF3+ CF4、CHF3+O2和CF4+ O2五种工艺气体体系对二氧化硅( SiO2)作反应离子刻蚀实验,在确定最优刻蚀气体基础上,研究射频功率和气体流量配比对刻蚀速率、均匀性和选择比等主要刻蚀参数的影响.通过对实验结果比较分析,确定了刻蚀速率79nm/min、非均匀性4％、对光刻胶的选择比0.81的优化工艺.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李伟	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	75	359	10.0	14.0
2	袁凯	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	22	200	9.0	13.0
3	苟君	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	7	20	1.0	4.0
4	杨光	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	5	27	2.0	5.0