GaN(0001)表面吸附TiO2的DFT研究

• 作者: 杨春 梁晓琴 黄平
• 来源期刊: 四川师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 化学
• 关键词: GaN(0001)表面 TiO2 密度泛函理论 吸附
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 页码范围: 526-529
• 分类号: O484|O647.3
• 字数: 1774字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8395.2012.04.019

摘要

建立了GaN(0001)2 x2表面吸附模型,采用基于DFT动力学赝势方法,对TiO2分子的吸附进行了理论计算.研究了TiO2分子在GaN(0001)表面的吸附成键过程、成键方位及表面化学键特性.计算结果表明吸附过程经历了物理吸附、化学吸附与稳定态形成的过程,化学结合能达到7.184～7.423 eV.不同初始位置的TiO2分子吸附后,Ti在fcc或hcp位置,两个O原子分别与表面两个Ga原子成键,Ga-O化学键表现出共价键特征,O-O连线与GaN[11-20]方向平行,与实验观测(100)[001] TiO2//(0001)[11-20]GaN一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨春	四川师范大学可视化计算与虚拟现实四川省重点实验室	89	760	14.0	24.0
2	梁晓琴	四川师范大学可视化计算与虚拟现实四川省重点实验室	39	149	7.0	10.0
3	黄平	四川师范大学物理与电子工程学院	16	25	3.0	4.0