P型硅衬底异质结太阳电池的优化设计

• 作者: 徐静平 汪骏康
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 异质结太阳电池 窗口层 本征层 背场
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 799-804,808
• 分类号: TM914.4
• 字数: 3881字
• 语种: 中文

摘要

采用Afors-het软件模拟分析了结构为TCO/a-Si：H（n）/a-Si：H（i）/c-Si（p）/a-Si：H（p＋）/Ag的p型硅衬底异质结太阳电池的性能,研究了各层厚度、带隙、掺杂浓度以及界面态密度等结构参数和物理参数对电池性能的影响。通过模拟优化,结合理论分析和实际工艺,得到合适的各结构参数取值。采用厚度薄且掺杂高的窗口层,嵌入本征层以钝化异质结界面缺陷,合理利用背场对于少子的背反作用,获得了较佳的太阳电池综合性能：开路电压Voc为678.9mV、短路电流密度Jsc为38.33mA/cm2、填充因子FF为84.05%、转换效率η为21.87%。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐静平	华中科技大学电子科学与技术系	88	358	9.0	13.0
2	汪骏康	华中科技大学电子科学与技术系	1	1	1.0	1.0