多晶发射极结构三极管抗总剂量能力研究

• 作者: 郑若成 顾爱军
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 总剂量辐照 三极管 多晶发射极结构 辐照实验
• 年，卷（期）: 2012,（7）
• 页码范围: 38-40
• 分类号: TN305
• 字数: 2259字
• 语种: 中文

摘要

文章通过分析总剂量辐照机理和三极管结构总剂量辐照的瓶颈部位,比较普通和多晶发射极VNPN晶体管结构上的区别,指出多晶发射极结构具有更强的总剂量辐照能力.多晶发射极结构总剂量辐照能力增强是由于该结构EB之间存在多晶+薄氧化层的结构,该结构中多晶屏蔽了顶部厚氧化层辐照效应的影响,而普通结构EB之间则是厚氧化层结构,总剂量辐照能力弱.在对多晶发射极结构总剂量辐照关键部位的分析过程中,对多晶发射极三极管局部结构进行了进一步优化设计,最后给出了多晶发射极结构三极管的辐照实验结果,并对实验结果进行了分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾爱军		3	4	1.0	2.0
2	郑若成		2	0	0.0	0.0