氮气退火对NiO/ZnO:Al薄膜PN结的影响

• 作者: 李国栋 祁康成 舒文丽 赵启义
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 NiO薄膜 ZnO Al薄膜 氮气退火
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 11-14
• 分类号: TN304.2
• 字数: 1847字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2012.01.003

摘要

利用磁控溅射法,在ITO玻璃基底上沉积NiO薄膜和ZnO:Al(Al掺杂的ZnO或AZO)薄膜,制备具有半导体特性的NiO/ZnO:Al透明异质结二极管.使用UV-1700型分光光度计、KEITHLEY4200-SCS半导体测试仪、JSM-6490LV型扫描电子显微镜等分析氮气退火对NiO/ZnO:Al薄膜性能的影响.实验结果表明:500℃退火范围内,NiO薄膜的透过率随退火温度的升高单调上升,500℃时透过率在80％以上,NiO/ZnO:Al薄膜的透过率明显提高；在400℃时,NiO/ZnO:Al薄膜整流特性最佳.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	祁康成	电子科技大学光电信息学院	65	340	10.0	14.0
2	李国栋	电子科技大学光电信息学院	5	15	2.0	3.0
3	赵启义	电子科技大学光电信息学院	6	53	3.0	6.0
4	舒文丽	电子科技大学光电信息学院	3	71	3.0	3.0