Ar射频放电特性随时间演化的PIC/MCC模拟

• 作者: 吕晓丹 孙伟中 张浚源 苟富均 贺平逆 陈峰
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 等离子体 鞘层 等离子体粒子模拟方法(PIC/MCC) 容性耦合等离子体源(CCP)
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 49-54
• 分类号: O531|O539
• 字数: 4396字
• 语种: 中文

摘要

采用等离子体粒了模拟方法(PIC/MCC)方法对一维模型模拟了容性耦合等离子体(CCP)源放电过程中等离子体的动力学行为.在模拟氩气放电的过程中,综合考虑了电子与Ar之间的弹性碰撞、激发、电离以及Ar与Ar+之间的弹性碰撞和电荷交换过程.由模拟结果可知,射频极板附近鞘层区域在极短时间内形成,其厚度随着时间的增加而增厚;而射频极板处的粒子通量随着时间的增加逐渐减小.经过一段时间后,射频极板处平均粒子通量、平均电流以及鞘层平均厚度逐渐趋于平衡.在鞘层区域电流主要由位移电流构成,在等离子体区域电流主要由传导电流贡献.最后讨论了达到平衡态后等离子体密度、电势、电场强度和能量的空间分布情况.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙伟中	四川大学原子核科学技术研究所辐射物理及技术教育部重点实验室	7	7	1.0	2.0
2	张浚源	四川大学原子核科学技术研究所辐射物理及技术教育部重点实验室	8	8	1.0	2.0
3	苟富均	四川大学原子核科学技术研究所辐射物理及技术教育部重点实验室	12	12	2.0	3.0