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摘要:
内置式特高频传感器植入GIS腔体时,会对原有电场产生畸变,从而影响设备的安全运行。通过对内置式特高频传感器的不同植入位置进行电场计算,得到了不同植入位置时传感器对原有电场的畸变情况,在此基础上提出了内置式传感器的植入原则。结果表明:当传感器平面与GIS外壳呈水平或处于GIS预留腔体内时,传感器对原电场的影响可忽略不计。综合灵敏度的考虑,可将传感器平面与腔体外壳呈水平布置。
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文献信息
篇名 GIS内置式特高频传感器电场分布研究
来源期刊 宁夏电力 学科 工学
关键词 GIS 特高频 内置式传感器 电场分布
年,卷(期) 2012,(6) 所属期刊栏目 高电压技术
研究方向 页码范围 1-4,29
页数 5页 分类号 TM835.4
字数 1219字 语种 中文
DOI
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作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 姚武 宁夏电力公司经济技术研究院 3 20 3.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
GIS
特高频
内置式传感器
电场分布
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
宁夏电力
双月刊
1672-3643
64-1051/TK
大16开
银川市金凤区黄河东路716号
1971
chi
出版文献量(篇)
2377
总下载数(次)
5
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4044
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