衰减瓷对同轴磁控管起振过程的影响

• 作者: 唐传祥 裘家琪 陈怀璧
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 同轴磁控管 衰减瓷 损耗角正切 PIC模拟
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 所属期刊栏目: 加速器技术
• 页码范围: 2889-2892
• 页数: 4页
• 分类号: TN123
• 字数: 2010字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20122412.2889

摘要

通过建立X波段同轴磁控管模型,对起振过程进行PIC模拟,结果表明:当衰减瓷损耗角正切大于0.010时,起振过程中可能受干扰模影响,但均能正常工作；当选用损耗角正切为0.001或不具有衰减性能的材料时,磁控管可能无法正常工作.因此同轴磁控管中需要选用损耗角正切大于0.010的电介质材料.进一步对该磁控管进行冷态微波特性模拟研究,重点分析了磁控管主模、N/2-1干扰模在不同参数衰减瓷下的品质因数,模拟结果表明衰减瓷位置合理,当损耗角正切大于0.010时,对N/2-1模的吸收效果明显改善,验证了PIC模拟的结论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐传祥	清华大学工程物理系加速器实验室	36	139	7.0	9.0
5	陈怀璧	清华大学工程物理系加速器实验室	36	125	7.0	8.0
9	裘家琪	清华大学工程物理系加速器实验室	2	6	2.0	2.0