功率变换器中PowerMOSFET功率损耗的数学分析及计算

• 作者: 黄菲菲
• 来源期刊: 煤矿机电
• 学科: 工学
• 关键词: Power MOSFET开关电路 功率损耗 功率变换器
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 问题探讨
• 页码范围: 59-61,66
• 分类号: TP212
• 字数: 1786字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0874.2012.01.018

摘要

为改善中、低压电力电子设备中开关器件的性能，给出了一种功率变换器的PowerMOS·FET开关电路模型。其PowerMOSFET的功率损耗主要由导通损耗和开关损耗构成，由此推导了功率变换器主电路中PowerMOSFET的损耗计算公式，并根据实验波形的计算，得到PowerMOS—FET的功率损耗。得到的计算结果表明：当开关频率较大时，开关损耗是PowerMOSFET功率损耗的主要部分。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄菲菲	中国矿业大学信电学院	2	7	1.0	2.0