高迁移率InGaAs／InP量子阱中的有效g因子

• 作者: AustingDavidGuy 俞国林 刘新智 周远明 戴宁 林铁 褚君浩 郭少令 高矿红 魏来明
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: g 因子 量子阱 磁阻
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 435-441
• 分类号: O737
• 语种: 中文

摘要

利用化学束外延法制备了高迁移率的In0朋Ga0．47As／InP量子阱样品．在样品的低温磁输运测试中，观察到纵向磁阻的Shubnikov—deHass（SdH）振荡和零场自旋分裂引起的拍频．本文提出一种解析的方法，即通过同时拟合不同倾斜磁场下SdH振荡的傅里叶变换谱，得到有效g因子的大小．