西门子CVD还原炉内硅棒生长环境的数值模拟

• 作者: 印永祥 戴晓雁 王子松 覃攀 雷雳光 黄志军
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 计算流体力学 多晶硅 CVD还原炉 辐射热传递
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 页码范围: 507-512
• 分类号: TQ018
• 字数: 3595字
• 语种: 中文

摘要

考虑包括热辐射在内的质量传递、动量传递、热量传递三维模型,利用流体力学计算软件,对18对棒西门子多晶硅CVD还原炉实际情况进行数值模拟.考察了两种进气方式下还原炉内的流场和温度场分布.计算结果表明,为了实现硅棒均匀沉积,与底盘上分散进气、中心集中出气的还原炉结构相比,中心集中进气、中环与外环之间分散出气的流场及温度场分布更为合理.后者可能有效避免气体在进出口间的“短路”现象,又使炉内各处温度分布更为均匀,减小硅棒不均匀生长现象.模拟结果还表明,采用典型工况的数据,还原炉中总能量损失占能量输入的78.9％,辐射热损失占总能量损失的70.9％,产品单位质量能耗为72.8 kWh/·kg-1,与很多其他研究结果及实际相一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	雷雳光	四川大学化学工程学院	2	22	2.0	2.0
2	王子松	四川大学化学工程学院	2	22	2.0	2.0
3	印永祥	四川大学化学工程学院	56	602	14.0	21.0
4	戴晓雁	四川大学化学工程学院	55	608	15.0	20.0
5	覃攀	四川大学化学工程学院	7	73	5.0	7.0
6	黄志军	四川大学化学工程学院	1	20	1.0	1.0