用X射线衍射研究缓冲层对GaInAs材料的影响

• 作者: 刘正堂 徐晓兵 焦岗成 石峰 胡仓陆
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: X射线衍射 晶格失配 GaInAs 渐变缓冲层 倒易空间衍射
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体材料与设备
• 页码范围: 288-290,325
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2231字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.04.010

摘要

用分子束外延方法制备了具有GaInAs组分渐变缓冲层和不具有GaInAs组分渐变缓冲层的Ga0.9In0.1As/GaAs结构的外延材料.利用高分辨率X射线衍射法(HRXRD)对制备的两种样品分别进行了测试分析.实验结果表明,GaInAs组分渐变缓冲层对外延生长在GaAs衬底上的Ga0.9In0.1As外延材料的晶体质量具有显著的改善作用,极大降低了由于外延层与衬底晶格不匹配所带来的影响.从X射线倒易空间衍射( RSM)二维图谱结果来看,具有GaInAs组分渐变缓冲层结构的样品,其Ga0.9In0.1As外延层与GaInAs组分渐变缓冲层接近完全弛豫,Ga0.9In0.1As外延层的应变降低,表面残留应力小于0.06％,同时,GaAs衬底与Ga0.9In0.1 As外延层之间的偏移夹角明显变小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘正堂	西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室	120	749	14.0	21.0
2	石峰		26	122	6.0	10.0
6	焦岗成	西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室	4	10	2.0	3.0
15	徐晓兵		1	0	0.0	0.0