温度场和电场调控硅基反铁电厚膜相变电流特性研究

• 作者: 丑修建 关新锋 张文栋 杜妙璇 杨玉华
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: PLZT反铁电厚膜 相变 电流密度 温度 电场
• 年，卷（期）: 2012,（9）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1212-1216
• 页数: 5页
• 分类号: TB34
• 字数: 3291字
• 语种: 中文

摘要

采用溶胶-凝胶技术,在Pt（111）/Ti/SiO2/Si衬底上制备了高（100）取向生长、表面平整且结构致密的（Pb,La）（Zr,Ti）O3反铁电厚膜,研究了温度场和电场对（Pb,La）（Zr,Ti）O3反铁电厚膜电学性能的影响。实验结果表明反铁电厚膜在温度场和电场作用下发生反铁电相、铁电相和顺电相的相互转变,随外加电场增加,反铁电-铁电相变温度逐渐减小,介电常数峰值由2410减小到662,相变电流密度值由2.21×10-7A/cm2增大到8.52×10-7 A/cm2;随外加温度场增加,反铁电-铁电相变电场强度逐渐减小,饱和极化强度由39μC/cm2减小到31μC/cm2,相变电流密度值由2.89×10-5 A/cm2减小到8.8×10-6 A/cm2,温度场和电场可实现对反铁电厚膜相变电流效应的有效调控。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜妙璇	中北大学电子与计算机科学技术学院仪器科学与动态测试教育部重点实验室	3	9	2.0	3.0
2	丑修建	中北大学电子与计算机科学技术学院仪器科学与动态测试教育部重点实验室	49	225	9.0	13.0
3	关新锋	中北大学电子与计算机科学技术学院仪器科学与动态测试教育部重点实验室	4	30	3.0	4.0
4	杨玉华	中北大学电子与计算机科学技术学院仪器科学与动态测试教育部重点实验室	18	71	4.0	7.0