表面Ge沟道pMOSFET阈值电压模型

• 作者: 付毅初 张鹤鸣 戴显英 李志 查冬 王晓晨 王琳 郝跃
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 数学
• 关键词: 阈值电压模型 Ge沟道pMOSFET 漏致势垒降低效应 短沟道效应
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 页码范围: 94-97,113
• 页数: 5页
• 分类号: O141.4
• 字数: 3319字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2012.04.017

摘要

基于MOS器件的短沟道效应和满致势垒降低效应理论,通过求解泊松方程,建立了表面Ge沟道pMOSFET的阈值电压模型.基于该模型对表面Ge沟道MOSFET器件的沟道长度、栅氧化层厚度、衬底掺杂浓度、SiGe虚拟衬底中的Ge含量等结构参数以及漏源电压对阈值电压的影响进行了模型模拟分析.模拟结果表明,当沟道长度小于200nm时,短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压影响较大,而当沟道长度超过500nm时,短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压的影响可以忽略.模型计算结果与实验结果吻合较好.