氟基等离子体处理对高Al组分AlGaN肖特基接触反向漏电的改善

• 作者: 刘芳 卢励吾 张国义 沈波 王新强 秦志新 赵胜
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 高Al组分AlGaN 肖特基接触 氟基等离子体 漏电流 表面态
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 672-675,679
• 分类号: TN304.23
• 字数: 2890字
• 语种: 中文

摘要

在沉积肖特基金属之前,对非掺的Al0.45Ga0.55N采用了不同时间的氟基等离子体处理,其中Al组分对应日盲波段。与未做氟基等离子体处理的样品相比,经过处理的Al0.45Ga0.55N肖特基二极管在反向-10V的漏电流密度随处理时间的增加而减少,其中处理1min的样品的漏电流密度减少了5个数量级。X射线光电子谱分析证明了处理过的样品表面Ga-F和Al-F键的形成。反向漏电的减少可能是由氟基等离子体处理耗尽了电子和有效钝化了表面态导致的。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘芳	北京大学物理学院人工介观与微结构国家重点实验室	195	1307	19.0	26.0
2	秦志新	北京大学物理学院人工介观与微结构国家重点实验室	5	7	2.0	2.0
3	王新强	北京大学物理学院人工介观与微结构国家重点实验室	9	12	2.0	3.0
4	沈波	北京大学物理学院人工介观与微结构国家重点实验室	13	17	3.0	3.0
5	赵胜	北京大学物理学院人工介观与微结构国家重点实验室	1	0	0.0	0.0
6	卢励吾	北京大学物理学院人工介观与微结构国家重点实验室	2	7	1.0	2.0
7	张国义		2	11	1.0	2.0