GEM电场和电子轨迹的三维模拟研究

• 作者: 屠彦 杨兰兰 秦娜娜
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 气体电子倍增器 电场分布 有限元法 双碗型 电子轨迹 电子透过率
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 253-257
• 分类号: TL811
• 字数: 3354字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2012.03.002

摘要

利用有限元法模拟了三维双碗型GEM电场和电子轨迹,计算了不同几何尺寸(包括小孔外径D、内径d、厚度T)和电参数(GEM上下电极电压差Vgem、漂移电场场强Ed、收集电场场强Ei)下的静电场和电子轨迹,研究不同几何结构和电参数对电场分布和电子透过率的影响.分析表明,D、T、Vgem对场强分布的影响比较大,d、Ed、Ei对GEM微孔内的电场影响不大.只有D、d、Ed、Vgem会对电子透过率产生影响,其余参数改变下的电子透过率与文中基准模型的一样,为35.26％,结果表明几何光学的透过率和微孔附近的电场共同决定了GEM中的电子透过率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	屠彦	东南大学电子科学与技术学院显示技术研究中心	87	325	8.0	13.0
2	杨兰兰	东南大学电子科学与技术学院显示技术研究中心	52	168	7.0	10.0
3	秦娜娜	东南大学电子科学与技术学院显示技术研究中心	3	5	1.0	2.0