三维集成封装中的TSV互连工艺研究进展

• 作者: 吴向东
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 互连 三维集成 硅通孔
• 年，卷（期）: 2012,（9）
• 页码范围: 1-5
• 分类号: TN305.94
• 字数: 6109字
• 语种: 中文

摘要

为顺应摩尔定律的增长趋势,芯片技术已来到超越“摩尔定律”的三维集成时代.电子系统进一步小型化和性能提高,越来越需要使用三维集成方案,在此需求推动下,穿透硅通孔(TSV)互连技术应运而生,成为三维集成和晶圆级封装的关键技术之一.TSV集成与传统组装方式相比较,具有独特的优势,如减少互连长度、提高电性能并为异质集成提供了更宽的选择范围.三维集成技术可使诸如RF器件、存储器、逻辑器件和MEMS等难以兼容的多个系列元器件集成到一个系统里面.文章结合近两年的国外文献,总结了用于三维集成封装的TSV的互连技术和工艺,探讨了其未来发展方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴向东		2	31	2.0	2.0