HgCdTe材料的溴-甲醇抛光工艺研究

• 作者: 乔辉 张立瑶 李向阳
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: HgCdTe 化学机械抛光 表面损伤 XRD
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 683-685,702
• 分类号: TN305.5
• 语种: 中文

摘要

碲镉汞（HgCdTe）红外探测器制备中的化学-机械抛光工艺会在碲镉汞材料表面形成一定深度的损伤层。用溴-甲醇化学机械抛光取代溴腐蚀工艺,有效地降低了抛光过程所产生的表面损伤。在溴-甲醇抛光工艺中,可变参数有溶液的浓度比、抛光时间、转盘转速等,不同的参数组合对于抛光效果有不同的影响,经过正交试验可以以较少的试验次数高效经济地得到最佳的溴-甲醇抛光工艺参数组合。以该优化参数进行抛光所得到的碲镉汞材料通过XRD测试以及Ar＋刻蚀后表面形貌的测试表明,HgCdTe晶片表面剩余损伤大大减小。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	乔辉	中国科学院上海技术物理研究所	16	44	4.0	6.0
2	李向阳	中国科学院上海技术物理研究所	110	438	10.0	14.0