Nb2O5掺杂量对ZnO压敏电阻器性能的影响

• 作者: 傅刚 刘志宇 杨小妮 翟旺建 陈环
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO Nb2O5 压敏电阻 晶界势垒高度
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 20-23
• 分类号: TN604
• 字数: 2305字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2012.01.006

摘要

通过掺杂微量Nb2O5制备了ZnO压敏电阻器,运用扫描电子显微镜(SEM)和电性能测试手段分析了Nb2O5掺杂对ZnO压敏电阻器微观结构和电性能的影响,测量了晶界势垒高度φH,并探讨了其对ZnO压敏电阻器性能的影响.结果表明:掺杂适量的Nb2O5可以明显改善ZnO压敏电阻器的微观结构和电性能；当Nb2O5的掺杂量为摩尔分数0.10％时,所制ZnO压敏电阻器的晶粒尺寸最大,且压敏电压V1mA、非线性系数α和φH值分别为174V,30和0.463 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅刚	广州大学物理与电子工程学院	53	174	8.0	11.0
2	陈环	广州大学物理与电子工程学院	27	89	6.0	8.0
3	刘志宇	广州大学物理与电子工程学院	20	30	4.0	4.0
4	翟旺建	广州大学物理与电子工程学院	2	9	2.0	2.0
5	杨小妮	广州大学物理与电子工程学院	2	9	2.0	2.0