一种基于0.18μm CMOS工艺的上电复位电路

• 作者: 余金山 张俊安 张瑞涛 杨毓军 王友华 陈良
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 上电复位电路 低阈值电压 CMOS NMOS
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 电路与系统设计
• 页码范围: 238-241
• 分类号: TN432
• 字数: 2533字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2012.02.023

摘要

介绍了一种采用0.18 μm CMOS工艺制作的上电复位电路.为了满足低电源电压的设计要求,采用低阈值电压(约0 V)NMOS管和设计的电路结构,获得了合适的复位电压点；利用反馈结构加速充电,提高了复位信号的陡峭度；利用施密特触发器,增加了电路的迟滞效果.电路全部采用MOS管设计,大大缩小了版图面积.该上电复位电路用于一种数模混合信号芯片,采用0.18 μm CMOS工艺进行流片.芯片样品电路测试表明,该上电复位电路工作状态正常.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨毓军	中国电子科技集团公司第二十四研究所	10	46	5.0	6.0
2	陈良	中国电子科技集团公司第二十四研究所	4	14	2.0	3.0
3	余金山		14	37	4.0	5.0
5	张俊安		13	54	5.0	6.0
6	张瑞涛		7	45	4.0	6.0
7	王友华	中国电子科技集团公司第二十四研究所	3	9	2.0	3.0