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摘要:
通过对微波频率源相位噪声的分析,针对一个C波段微波频率源低相位噪声的要求,对比分析了直接倍频、数字锁相以及高频鉴相之后再倍频三种方案之间的相位噪声差别.最终得出采用直接在超高频(UHF)波段对输入信号进行模拟鉴相并锁定之后再倍频才能达到所要求的相位噪声指标.对制成的样品进行了测试,取得了预期的相位噪声指标.该C波段微波频率源的相位噪声可以达到:≤- 120 dBc/Hz@1 kHz,≤- 125 dBc/Hz@ 10 kHz,≤- 130dBc/Hz@100kHz,≤- 140 dBc/Hz@1 MHz.直接在UHF波段进行高频鉴相的技术,通过提高鉴相频率大幅降低了微波锁相频率源的相位噪声.
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文献信息
篇名 低相位噪声微波频率源的研究
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 频率源 低相位噪声 倍频 锁相环 高频鉴相
年,卷(期) 2012,(2) 所属期刊栏目 电路与组件
研究方向 页码范围 135-137,158
页数 分类号 TN74
字数 1277字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.02.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 高燕宇 中国电子科技集团公司第十三研究所 2 7 2.0 2.0
2 袁慧超 中国电子科技集团公司第十三研究所 1 4 1.0 1.0
3 尹哲 中国电子科技集团公司第十三研究所 2 4 1.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
频率源
低相位噪声
倍频
锁相环
高频鉴相
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
总被引数(次)
24788
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