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摘要:
采用固相反应法制备了(Zn,Mg)TiO3 (ZMT)微波介质陶瓷,研究分别添加CaTiO3和BaLiBSi对ZMT陶瓷介电性能的影响.结果表明:CaTiO3和BaLiBSi均能调节ZMT陶瓷的温度系数τε值;BaLiBSi能有效降低ZMT 陶瓷的烧结温度,抑制Zn2TiO4相的产生,提高所制陶瓷的微波介电性能.当添加质量分数10%的CaTiO3时,950℃烧结的(Zn1.06Mg0.12)TiO3陶瓷的τε值接近零:-6×10-6/℃.加入质量分数1.2%的BaLiBSi时,900℃烧结的(Zn1.13Mg0.048)Ti1.29O3陶瓷具有最佳的微波介电性能:εr≈24.8,Q·f=10 898 GHz,τε=17×10-6/℃.
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关键词云
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文献信息
篇名 (Zn,Mg)TiO3微波介质陶瓷性能的改善
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 微波介质陶瓷 (Zn,Mg)TiO3 介电性能 温度系数
年,卷(期) 2012,(2) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 1-4
页数 分类号 TM28
字数 3063字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2028.2012.02.001
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张树人 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 187 1176 16.0 24.0
2 唐斌 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 210 2076 24.0 33.0
3 左洋 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 1 0 0.0 0.0
4 赵麒植 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 2 0 0.0 0.0
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(Zn,Mg)TiO3
介电性能
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电子元件与材料
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1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
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