Rh掺杂的Ru2Si3的电子结构及光学性质

• 作者: 崔冬萌 谢泉 贾锐 赵珂杰
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 掺杂Ru2Si3 电子结构 光学性质 第一性原理
• 年，卷（期）: 2012,（9）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能研究
• 页码范围: 960-965
• 分类号: O471.5|O481.1
• 字数: 4008字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20123309.0960

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波计算方法,结合广义梯度近似(GGA)对Ru2Si3掺Rh原子的电子结构和光学性质进行了研究,计算结果表明:掺入Rh原子使得Ru2Si3的晶胞体积有所增大,Rh替换RuⅢ位的Ru原子使得体系处于稳定态,导电类型变为n型,静态介电函数值为ε1(0) =25.2014,折射率n0的值有所增大为5.02.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贾锐	中国科学院微电子研究所	29	160	6.0	11.0
2	谢泉	贵州大学理学院贵州大学新型光电子材料与技术研究所	133	486	12.0	17.0
3	崔冬萌	中国科学院微电子研究所	5	10	2.0	3.0
4	赵珂杰	中国科学院微电子研究所	3	7	2.0	2.0