富士通半导体明年计划量产氮化镓功率器件

• 来源期刊: 中国电子商情：基础电子
• 学科: 工学
• 关键词: 功率器件 半导体 富士通 氮化镓 输出功率 服务器 GaN 电源
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 所属期刊栏目: 专题报道：嵌入式应用
• 页码范围: 52-52
• 页数: 1页
• 分类号: TN303
• 字数: 741字
• 语种: 中文

摘要

富士通半导体（上海）有限公司宣布采用其基于硅基板的氮化镓（GaN）功率器件的服务器电源单元成功实现2．5kW的高输出功率，富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用，对实现低碳社会做出重大贡献。