并联电容对DE类功率放大器的影响

• 作者: 刘昌 孔凡敏 李康
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: DE类功率放大器 高频率 高效率 并联电容 MOSFET寄生电容
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 电路与组件
• 页码范围: 299-304
• 分类号: TN722.75
• 字数: 3131字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.04.013

摘要

DE类功率放大器既综合了D类和E类功率放大器的优点,继承了开关型功率放大器高效率的特征,又同时避免了D类和E类功率放大器的缺陷,使其成为了人们关注和研究的热点.随着工作频率的升高,MOSFET寄生电容在DE类功率放大器并联电容的计算中无法忽略.经过理论分析得到了MOSFET寄生电容的等效电容表达式,通过使用等效电容表达式,可以获得包含MOSFET寄生电容影响的并联电容的取值,提高了DE类功率放大器设计精度,保证了DE类功率放大器在高频时的高效率.通过SPICE模型仿真和电路实验验证了分析的有效性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李康	山东大学信息科学与工程学院	81	485	11.0	15.0
2	孔凡敏	山东大学信息科学与工程学院	32	175	8.0	10.0
3	刘昌	山东大学信息科学与工程学院	2	20	2.0	2.0